特許
J-GLOBAL ID：200903061580788011
電界放出型冷陰極装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-049803
公開番号（公開出願番号）：特開2000-251616
出願日： 1999年02月26日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】電子のバックコンタクト注入から、エミッタ内輸送、そしてダイヤモンドを介した真空への電界放出のそれぞれの段階の材料選択を好適な条件で実現し、低電圧駆動、かつ大放出電流を得る。【解決手段】シリコン基板11上異方性エッチングによりモールド付きシリコン基板12を形成し、絶縁酸化膜13を形成し、その上にカーボンナノチューブ薄膜14をモールド内に充填し、Fe薄膜15をデポしたガラス基板16に転写し、さらに基板12をエッチングし、エミッタアレイ17、SiO2 絶縁膜18、シリコンゲート層19をそれぞれ形成する。次に、出力パワーが3kWのCO2 レーザー110によりゲート開口部から照射する。その後、900°Cの熱処理を行ない、ダイヤモンドの先端部111を形成する。最後に、アノード電極112を設ける。
請求項（抜粋）：
伝導性基板の上に炭素系材料を用いたエミッタアレイと、絶縁膜およびゲート電極を備えた電界放出型冷陰極装置において、エミッタの先端部分のみダイヤモンドとなることを特徴とする電界放出型冷陰極装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01J 1/30 F
, H01J 9/02 B
