特許

J-GLOBAL ID：200903061581121851

キャパシタ、メモリ素子およびその製造方法

発明者： 伊藤 康幸
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-378875
公開番号（公開出願番号）：特開2003-179212
出願日： 2001年12月12日
公開日（公表日）： 2003年06月27日
要約：

【要約】【課題】強誘電体または高誘電体薄膜へ水素の拡散を完全に防止することができ、且つ加工しやすい水素バリア層を有するキャパシタとメモリ素子、及びその製造方法を提供する。【解決手段】第1の電極膜と、第2の電極膜と、及び該両電極膜に挟まれた強誘電体薄膜または高誘電体薄膜の積層構造を被覆して、保護層としての水素バリア層を形成し、該水素バリア層は希土類金属、すなわち、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、およびLuのうち、少なくとも一つの酸化物を含む。

請求項（抜粋）：

第1の電極膜と、第2の電極膜と、前記第1および第2の電極膜に挟まれた誘電体薄膜と、前記第2の電極膜側から、前記第1の電極膜、誘電体薄膜、および第2の電極膜の積層構造を覆うように形成された保護膜とを有し、前記保護膜が希土類金属のうち、少なくとも一つの酸化物を含むキャパシタ。

IPC (3件)：

H01L 27/105 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/108

FI (3件)：

H01L 27/10 444 B ,  H01L 27/10 621 Z ,  H01L 27/10 651

Fターム (18件)：

5F083AD21 ,  5F083FR02 ,  5F083GA25 ,  5F083JA06 ,  5F083JA13 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083JA56 ,  5F083MA06 ,  5F083MA17 ,  5F083MA19 ,  5F083NA08 ,  5F083PR33 ,  5F083PR40