特許
J-GLOBAL ID：200903061586048680
強誘電体薄膜の製造方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-042030
公開番号（公開出願番号）：特開平5-085706
出願日： 1991年03月07日
公開日（公表日）： 1993年04月06日
要約：
【要約】【目的】本発明は、特別な基板や特に選定した電極膜を下地としなくとも、ゾル・ゲル法により成膜する強誘電体薄膜の配向性を向上することを主要な目的とする。【構成】強誘電体薄膜形成用の金属アルコキシドの溶液を調整した後、この溶液を基板上に塗布する工程と、前記基板一定時間含質空気中に放置して加水分解する工程と、加水分解によって生成されたアルコール及び残留水分を除去するように前記基板を加熱処理する工程と、この加熱処理された基板を結晶化して必要な所定温度で一定時間保持した後、室温まで冷却して焼結する工程とを具備し、前記加熱処理工程と焼結工程の少なくとも一方の工程を電界を印加しながら行なうことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
強誘電体薄膜形成用の金属アルコキシドの溶液を調整した後、この溶液を基板上に塗布する工程と、前記基板一定時間含質空気中に放置して加水分解する工程と、加水分解によって生成されたアルコール及び残留水分を除去するように前記基板を加熱処理する工程と、この加熱処理された基板を結晶化して必要な所定温度で一定時間保持した後、室温まで冷却して焼結する工程とを具備し、前記加熱処理工程と焼結工程の少なくとも一方の工程を電界を印加しながら行なうことを特徴とする強誘電体薄膜の製造方法。
IPC (4件)：
C01B 13/32
, C01G 1/00
, C01G 33/00
, G11C 11/22
