特許
J-GLOBAL ID：200903061586990025
半導体薄膜気相成長装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高山 敏夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-256417
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094428
出願日： 1993年09月20日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 横型気相成長用反応管の洗浄工程の頻度を大幅に低減することを目的とする。【構成】 反応管1において下壁1bに設けられた基板6に対面する上壁1aに成長薄膜半導体材料と密着性の良い材料例えばGaAsウェハを用いている。
請求項（抜粋）：
半導体薄膜を成長するための原料ガスを流す反応室と、前記反応室内において半導体薄膜を成長する基板を、基板の堆積面を上面に向けて配置するサセプターとから構成された気相成長装置において、前記基板に対面する反応室の壁面が半導体材料から構成されていることを特徴とする半導体薄膜気相成長装置。
IPC (2件)：
H01L 21/205
, H01L 21/22 501
