特許

J-GLOBAL ID：200903061591878764

単結晶薄膜半導体成長方法

発明者： 青木 健二
出願人/特許権者： セイコー電子工業株式会社
代理人 (1件)： 林 敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-124658
公開番号（公開出願番号）：特開平8-274037
出願日： 1987年04月21日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：

【要約】【課題】 表面清浄化と結晶成長とを同じ装置内で繰り返す量産プロセスでは、結晶成長後の真空槽内の基板加熱系周辺部及び壁面には、成長時の反応生成物が吸着しているが、一般に基板温度は表面清浄化時のほうが結晶成長時よりも高いため、結晶成長時に吸着していた残留成分が、次の基板の表面清浄化時には、より高い基板温度における熱的影響によってガスとして再放出し、成長槽内のバックグランドを悪化させていた。基板表面の清浄化が十分ではなく、成長させた結晶の品質が低下するという問題があった。【解決手段】 成長室と予備室から成る構成に、基板表面の清浄化のための清浄化室を追加した構成し、予備室から浄化室に基板を移動させ浄化し、処理室に移動して半導体膜を形成する。

請求項（抜粋）：

外部から基板を予備室に挿入する工程と、前記予備室と第1のゲートバルズを介して接続して設けられた清浄化室に前記基板を移動する工程と、前記清浄化室で前記基板を850°C以上に加熱するとともに10-6パスカル以下の真空度にして前記基板の表面を清浄化する工程と、前記清浄化室と第2のゲートバルブを介して接続して設けられた半導体薄膜を成長させるための成長室に前記基板を移動する工程と、前記成長室で前記基板の表面に単結晶薄膜半導体を成長させる工程と、前記成長室と第3のゲートバルブを介して設けられた予備室に前記基板を移動させる工程と、前記予備室から前記基板を取り出す工程よりなることを特徴とする単結晶薄膜半導体成長方法。

IPC (6件)：

H01L 21/205 ,  C30B 23/02 ,  C30B 25/10 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/3065

FI (6件)：

H01L 21/205 ,  C30B 23/02 ,  C30B 25/10 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203 M ,  H01L 21/302 N