特許
J-GLOBAL ID：200903061593838921
薄膜状半導体装置の作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-176193
公開番号（公開出願番号）：特開平6-124889
出願日： 1993年06月23日
公開日（公表日）： 1994年05月06日
要約：
【要約】【目的】 低温で特性・信頼性の優れた薄膜トランジスタを高スループットで歩留りよく製造する方法を提供する。【構成】 絶縁基板上に薄膜トランジスタ(TFT)を形成する工程において、半導体被膜を形成した後、TEOSを原料として化学的気相成長法によって、ゲイト酸化膜となる酸化珪素膜を作製し,好ましくは酸素、オゾン、酸化窒素雰囲気中で、これにパルスレーザー光もしくは紫外光を照射することによって、酸化珪素膜中の炭素や炭化水素等のクラスターを除去し、よって膜中のトラップセンターを除去して、ゲイト酸化膜として適当な特性を示す酸化膜とすることを特徴とする薄膜状半導体装置の作製方法。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に、アモルファス状の半導体被膜を形成する工程と、前記半導体被膜上に有機シランもしくはその一部の水素、炭素、あるいは炭化水素基をフッ素によって置換した材料を原料とする化学的気相成長法によって、酸化珪素膜を形成する工程と、前記半導体被膜および酸化珪素膜にパルスレーザー光を照射する工程と、前記酸化珪素膜上にゲイト電極を形成する工程とを有することを特徴とする薄膜状半導体装置の作製方法。
IPC (4件)：
H01L 21/20
, H01L 21/268
, H01L 21/336
, H01L 29/784
