特許
J-GLOBAL ID：200903061601114695
半導体の表面処理方法及びその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
中本 菊彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-082984
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283385
出願日： 1991年03月25日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：
【要約】【目的】被処理体の表面に形成された自然酸化膜その他の原子・分子を除去し清浄化する。【構成】被処理体1を配設する真空状の処理室3に反応ガス供給部を設けると共に、不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段5を設ける。反応ガス供給部側にマイクロ波放電及び磁界を印加するプラズマ生成手段4を設ける。真空紫外線光の被処理体表面への照射により、被処理体表面の原子・分子の結合が切断され、同時に、不活性ガスイオンの被処理体表面への衝撃により、被処理体表面に結合する原子・分子が脱離する。【効果】低温下において、しかも被処理体にダメージを与えずに、被処理体表面に結合する原子・分子を除去し清浄化することができる。
請求項（抜粋）：
被処理体の表面に形成された自然酸化膜その他の原子・分子を除去・清浄化する半導体の表面処理方法において、上記被処理体の表面に真空紫外線光を照射して被処理体表面に結合する原子・分子の結合を切断させ、上記被処理体表面に不活性ガスイオンを照射すると共に、この不活性ガスイオンの浮遊電位にて被処理体表面に衝撃を与えることにより、被処理体表面に結合する原子・分子を除去し清浄化することを特徴とする半導体の表面処理方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 341
, C23F 4/00
, H01L 21/302
