特許

J-GLOBAL ID：200903061603017190

半導体実装用絶縁基板の改質方法

発明者： 長友 義幸 ,  長瀬 敏之 ,  島村 正一
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-059861
公開番号（公開出願番号）：特開2000-256081
出願日： 1999年03月08日
公開日（公表日）： 2000年09月19日
要約：

【要約】【課題】 金属層の変形抵抗を小さくすることにより、絶縁基板の熱サイクルに対する信頼性を向上する。【解決手段】 セラミック基板11の一部の面又は全面に金属層13が形成され、この金属層13の融点を絶対温度でTmとするときに、絶縁基板10を真空中又は不活性ガス雰囲気下、0.3Tm〜Tmの温度で0.5〜5時間熱処理する。またセラミック基板11にろう付け用箔12を介して金属層13をろう付けすることにより、セラミック基板11に金属層13を形成することが好ましい。更にろう付け用箔12がAl-Si系箔であり、金属層13がアルミニウム層であることが更に好ましい。

請求項（抜粋）：

セラミック基板(11)の一部の面又は全面に金属層(13)が形成された半導体実装用絶縁基板において、前記金属層(13)の融点を絶対温度でTmとするときに、前記絶縁基板(10)を真空中又は不活性ガス雰囲気下、0.3Tm〜Tmの温度で0.5〜5時間熱処理することを特徴とする半導体実装用絶縁基板の改質方法。

IPC (4件)：

C04B 41/80 ,  C04B 37/02 ,  C04B 41/88 ,  H01L 23/15

FI (4件)：

C04B 41/80 Z ,  C04B 37/02 Z ,  C04B 41/88 M ,  H01L 23/14 C

Fターム (14件)：

4G026BA01 ,  4G026BA02 ,  4G026BA03 ,  4G026BA14 ,  4G026BA16 ,  4G026BA17 ,  4G026BB21 ,  4G026BB22 ,  4G026BB27 ,  4G026BC01 ,  4G026BF33 ,  4G026BF42 ,  4G026BG02 ,  4G026BH07

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平4-012554
  
• 金属-セラミックス複合基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-123897   出願人：同和鉱業株式会社
• 特開昭57-036892
  
• 特開平4-012554
  
• 特開昭57-036892