特許

J-GLOBAL ID：200903061604461639

反応スパッタ付着に使用する静止有孔プレート

発明者： ハーウィット,スチーブン ディー. ,  ワグナー,イスラエル
出願人/特許権者： マティリアルズ リサーチ コーポレイション
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-505135
公開番号（公開出願番号）：特表平9-500690
出願日： 1994年06月13日
公開日（公表日）： 1997年01月21日
要約：

【要約】実質的に変更化を行わない有孔プレート(30)は複数の孔(32)を含み、これらの孔はスパッタ粒子(22)を捕捉する一方、残るスパッタ粒子が基体(16)上に付着できるようにする。この有孔プレート(30)で達成される付着速度はスパッタ速度よりも低く、ターゲット(12)は十分に高速度で高い速度でスパッタ作用を受けてターゲット表面上の反応生成フィルムの形成を減少するようになす一方、付着速度は十分に低くされて反応ガスとスパッタ粒子(22)との適正な反応を可能にして基体(16)上に所望の無反応生成フィルム(27)を形成するようになす。孔(32)はプレート(30)の様々に異なる領域(54,58)で異なるアスペクト比または異なる密度を有し、基体(16)の異なる領域で様々に異なる付着速度を達成する。孔(32)のアスペクト比は、一層均一なフィルム厚さまたは選択的に厚さを変化されたフィルム(27)を達成するように選択的に変化される。

請求項（抜粋）：

真空排気可能なチャンバを含むスパッタターゲットの表面上の反応生成層の形成を減少させるための反応スパッタ付着装置であって、 真空排気可能なチャンバの内部にスパッタターゲットを保持するための取付部と、 スパッタターゲットを電気的にバイアスするための電気装置と、 スパッタターゲットの近くでチャンバにイオン化可能なガスを導入するためのガス導入装置と、 バイアスされているスパッタターゲットと反対極性の電荷を有するイオン化されたガス原子を含むプラズマにするようにガスをイオン化して、該イオン化された粒子がプラズマから吸引されてターゲットを衝撃し、ターゲットから粒子を第1速度で飛散させるようになすためのイオン化装置と、 スパッタターゲットと全体的に対向させて基体を保持し、スパッタ粒子が基体表面上に付着してフィルムを形成するようにさせるための基体取付部と、 基体表面の近くに反応ガスを導入して、基体表面上に付着したスパッタ粒子と化学反応させ、これにより反応生成フィルムを基体表面上に形成させるようになすための反応ガス導入装置と、 ターゲットおよび基体の間に配置される有孔プレートであって、形成された複数の小さなアスペクト比を有して実質的に平行化させないようになされており、該孔はスパッタ粒子を或る割合で捕捉するとともに残りの粒子はプレートを通過させて第1速度よりは低速の第2速度で基体上に付着させるようになす形状を有し、前記基体から間隔を隔てられて孔パターンによる基体表面上の鮮明な陰を実質的に排除するようになされており、第1速度および第2速度が保持されてターゲットが十分に高い速度で飛散されてターゲット上に反応生成層の形成を減少させるが、付着した粒子が基体表面においてスパッタ粒子と反応ガスとの所望の反応を達成するために十分低い速度で基体上に付着されるようになす有孔プレートとを含み、 これにより所望の反応生成フィルムが基体上に形成される一方、ターゲット上の望ましくない反応生成フィルムの形成が減少される反応スパッタ付着装置。

IPC (3件)：

C23C 14/34 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/285

FI (3件)：

C23C 14/34 G ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/285 S