特許
J-GLOBAL ID：200903061606019313
フォトレジスト組成物、及びこれを利用したパターンの形成方法、並びに薄膜トランジスタ表示板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
特許業務法人共生国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-380489
公開番号（公開出願番号）：特開2006-215538
出願日： 2005年12月28日
公開日（公表日）： 2006年08月17日
要約：
【課題】フォトエッチング工程中、フォトレジスト膜にクラック発生を減少させることができるフォトレジスト組成物、及びこれを利用したパターンの形成方法、並びに薄膜トランジスタ表示板の製造方法を提供する。【解決手段】下記の化学式(1)で示されるノボラック樹脂と、下記の化学式(2)で示されるメルカプト(mercapto)化合物と、光感応剤と、溶剤とを有するフォトレジスト組成物。(但し、前記化学式(1)において、R1〜R4は各々独立的に水素原子または1〜6個の炭素原子を有するアルキル基、nは0〜3の整数であり、前記化学式(2)において、R1及びR2は各々独立的に1〜20個の炭素原子を有するアルキル基またはアリル基である。)【選択図】なし
請求項（抜粋）：
下記の化学式(1)で示されるノボラック樹脂と、
下記の化学式(2)で示されるメルカプト(mercapto) 化合物と、
光感応剤と、
溶剤とを有することを特徴とするフォトレジスト組成物。
IPC (5件)：
G03F 7/023
, G03F 7/075
, G03F 7/004
, C08G 8/10
, H01L 21/027
G03F7/023 511
, G03F7/075 501
, G03F7/004 501
, C08G8/10
, H01L21/30 502R
2H025AA07
, 2H025AA10
, 2H025AA13
, 2H025AB17
, 2H025AC01
, 2H025AD03
, 2H025BE01
, 2H025CB29
, 2H025CC20
, 2H025FA17
, 2H025FA40
, 4J033CA01
, 4J033CA02
, 4J033CA03
, 4J033CA05
, 4J033CA11
, 4J033CA12
, 4J033CA13
, 4J033CA22
, 4J033CA24
, 4J033CC03
, 4J033CC11
, 4J033CC12
, 4J033HA12
, 4J033HB10
