半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉村暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-162304
公開番号（公開出願番号）：特開平8-046182
出願日： 1995年06月28日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：

【要約】【目的】エッチング深さを簡単且つ正確にする。【構成】基板1上に、アルミニウム含有量が零でない半導体化合物より成り、ショットキーゲート接点8を入れる第1の中央ゲート凹所52,42を形成すべき活性層13,14と、アルミニウムが含有されていない半導体キャップ層4と、ゲート用の孔51が設けられたマスク層100とを有する積層体を形成し、弗素を含む第1エッチング化合物を用いて前記活性層の上側面22まで前記のキャップ層4中に行なわれ、この活性層の上側面上にふっ化アルミニウムのエッチングストッパ層3を自動的に形成する第1の選択性エッチング工程を行ない、次に前記エッチングストッパ層3を除去し、第2のエッチング剤を用いて前記第1の中央ゲート凹所が完成されるまで前記活性層中に行なわれる第2の非選択性エッチング工程を行ない、底部が下側の活性層13,14の上側面22より成る第2のゲート凹所の側面64を形成するために、前記第1のエッチング化合物を用いてキャップ層4中で横方向に第3の選択性エッチング工程を行なう。

請求項（抜粋）：

埋込チャネル電界効果トランジスタを有する半導体装置を製造するに当り、少なくとも、- 基板(1)上に、・アルミニウム(Al)含有量が零でない半導体化合物より成り、ショットキーゲート接点(8)を入れる第1の中央ゲート凹所(52,42)を形成すべき活性層(13,14)と、・アルミニウム(Al)が含有されていない半導体材料より成り、トランジスタのソース及びドレインオーム接点(5A,5B)を設けるべきキャップ層(4)と、・ゲート用の孔(51)が設けられたマスク層(100)とをこの順序で有する積層体を形成し、- 前記のゲート用の孔に関する自己整合により、前記の第1の中央ゲート凹所を設けるためのエッチング工程であって、・ふっ素(F)の第1エッチング化合物を用いて前記のゲート用の孔(51)を経て前記の活性層(13,14)の上側面(22)まで前記のキャップ層(4)中に行なわれ、前記の第1のエッチング化合物のふっ素(F)と前記の活性層の半導体化合物のアルミニウム(Al)との反応によりこの活性層の上側面上にふっ化アルミニウム(AlF3 )のエッチングストッパ層(3)を自動的に形成する第1の選択性エッチング工程であって、その後にふっ化アルミニウム(AlF3 )の前記のエッチングストッパ層(3)を除去する必要のある当該第1の選択性エッチング工程と、・第2のエッチング剤を用いて前記の第1の中央ゲート凹所(52,42)が完成されるまで前記のゲート用の孔(51)を経て前記の活性層(13,14)中に行なわれる第2の非選択性エッチング工程とをこの順序で有するエッチング工程を行なうことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 21/3065 , H01L 21/306 , H01L 29/872

FI (5件)：

H01L 29/80 H , H01L 21/302 E , H01L 21/306 F , H01L 29/48 M , H01L 29/80 F

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