特許

J-GLOBAL ID：200903061607694995

半導体基板の洗浄方法

発明者： 深澤 雄二
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-210629
公開番号（公開出願番号）：特開平10-112454
出願日： 1997年08月05日
公開日（公表日）： 1998年04月28日
要約：

【要約】【課題】従来のSC-1洗浄では、パーティクルの除去効果がNH4 OHの濃度に依存しており、シリコン半導体基板の表面あれ(マイクロラフネスの増大)を招き、ゲート酸化膜質の劣化等を発生させる。洗浄中のH2 O2 が分解すると、洗浄液内のNH4 OHの混合比率を変化させることになり、Fe,Cu等の含有でさらに分解を加速し洗浄液の混合比の管理が難しくなる。【解決手段】本発明は、半導体基板が収納された洗浄漕にオゾン水を供給して表面を酸化した後、所定時間の後にオゾン水にアンモニア液を混入した洗浄液を生成し、半導体基板の表面に洗浄液がかかるように該洗浄液を供給し、洗浄液によるエッチングレートを前記酸化膜で緩和しつつ洗浄する半導体基板の洗浄方法である。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面を洗浄する洗浄方法において、洗浄漕に収納された半導体基板の表面にオゾン水がかかるようにオゾン水を供給する工程と、予め定めた供給時間が経過した後若しくは、予め定めた量の前記オゾン水が供給された後、供給中の前記オゾン水に所望する割合でアルカリ液を混入させて、前記半導体基板の表面にかかるように供給して該半導体基板を洗浄する工程と、を具備することを特徴とする半導体基板の洗浄方法。