半導体装置の製造方法および装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：富田和子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-074289
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274037
出願日： 1998年03月23日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：

【要約】【課題】露光工程におけるホトマスクの位置合わせずれについてマージンを設定し、該マージンを利用して半導体装置の製造工程管理を行う。【解決手段】ウエハに処理を開始する前にデバイスの設計情報を入力として露光工程別におけるホトマスクの位置合わせずれに対するマージンを算出するホトマスク検証装置23と、該算出結果を格納する位置合わせマージンデータベース24と、ウエハ上のパターン形状からホトマスクの位置合わせずれの情報を検出する位置合わせ検査装置3と、該検出結果を検査の履歴として格納する位置合わせ検査データベース12と、前記位置合わせマージンと前記位置合わせずれの履歴とを比較し、実施された露光工程毎に処理の良否を判定する手段を備えるデータ処理部4と、該判定結果を表示する表示装置5を備える。

請求項（抜粋）：

ホトマスクを用いてウエハ上にパターンを形成するための露光工程を含む半導体装置を製造する方法において、前記半導体装置の設計情報を入力として、前記露光工程における前記ホトマスクの位置合わせずれに対するマージンを算出するマージン算出処理と、前記ウエハ上のパターン形状の検査結果から当該露光工程での位置合わせずれを算出する位置合わせずれ算出処理と、前記算出した位置合わせずれと前記算出されたマージンとを比較することで、当該露光工程の処理結果の良否を判定する判定処理とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , G03F 9/00 , H01L 21/00

FI (4件)：

H01L 21/30 502 G , G03F 9/00 H , H01L 21/00 , H01L 21/30 525 W

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