特許
J-GLOBAL ID：200903061613304074
アナログ量の記憶方法及び半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-153942
公開番号（公開出願番号）：特開平8-022697
出願日： 1994年07月05日
公開日（公表日）： 1996年01月23日
要約：
【要約】【目的】高速に、且つ高精度にアナログ量を書き込むことが可能な半導体記憶装置を提供することを目的とする。【構成】記憶モードの時、電流検出回路16は、コラムデコーダ13により選択されたソースラインS1に接続される。電流検出回路16は、第2の記憶電圧VW2をメモリセルC11に供給し浮遊ゲートに電荷を蓄えると同時に、その蓄えられた電荷に応じてメモリセルC11に流れる電流を検出し、その検出した電流に対応する電位と入力データAinの電位とを比較する。その検出した電位と入力データAinの電位とが一致しない場合、電流検出回路16は記憶電圧VW2をメモリセルC11〜C2nに印加する。検出した電位と入力データAinの電位とが一致する場合、電流検出回路16は記憶電圧VW2の供給を停止する。
請求項（抜粋）：
浮遊ゲート構造を有するトランジスタにより構成されるメモリセルにアナログ量を記憶する記憶方法において、メモリセルトランジスタに一定レベルの記憶電圧を供給して浮遊ゲートに電荷を注入すると同時に、前記浮遊ゲートへの電荷の注入量に応じて変化するメモリセルトランジスタに流れる電流が、記憶すべきアナログ量に応じた電流と一致したときに前記記憶電圧の供給を停止することを特徴とするアナログ量の記憶方法。
IPC (2件)：
G11C 27/00 101
, G11C 16/04
