特許

J-GLOBAL ID：200903061618520735

半導体集積回路の検査方法

発明者： 井下 ちづる ,  青木 一夫
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-192711
公開番号（公開出願番号）：特開2001-021609
出願日： 1999年07月07日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
要約：

【要約】【課題】 半導体集積回路を構成する各素子の静止時電源電流の電流値とこの電流値のばらつきとが大きく、さらにプロセスパラメータによる半導体集積回路間のばらつきが大きな半導体集積回路であっても、半導体製造プロセスで発生した不具合を確実に検出すること。【解決手段】 被測定対象の半導体集積回路を構成する複数素子の論理状態を順次変更設定しつつ、複数素子を介した静止時電源電流の電流値IDDを複数回測定し、この測定された複数の電流値から最大電流値と最小電流値とを抽出し、最大電流値と最小電流値との差分値ΔImaxが規格値ΔIDDを越えた場合に半導体集積回路は不良品であると判定する。

請求項（抜粋）：

被測定対象の半導体集積回路を構成する複数素子の論理状態を順次変更設定しつつ、前記複数素子を介した静止時電源電流の電流値を複数回測定する測定工程と、前記測定工程によって測定された複数の電流値から最大値と最小値とを抽出する抽出工程と、前記最大値と前記最小値との差分値が所定の差分値を越えた場合に前記半導体集積回路は不良品であると判定する判定工程と、を含むことを特徴とする半導体集積回路の検査方法。

IPC (3件)：

G01R 31/26 ,  G01R 31/317 ,  H01L 21/66

FI (4件)：

G01R 31/26 G ,  G01R 31/26 B ,  H01L 21/66 V ,  G01R 31/28 A

Fターム (20件)：

2G003AA07 ,  2G003AB02 ,  2G003AE01 ,  2G003AF01 ,  2G003AF06 ,  2G003AH01 ,  2G032AA01 ,  2G032AC03 ,  2G032AD01 ,  2G032AE08 ,  2G032AE12 ,  2G032AE14 ,  2G032AG07 ,  4M106AA04 ,  4M106BA14 ,  4M106CA04 ,  4M106CA70 ,  4M106DG23 ,  4M106DJ14 ,  4M106DJ20