特許
J-GLOBAL ID：200903061623923570
位相シフトマスク及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
横川 邦明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-239005
公開番号（公開出願番号）：特開平7-072612
出願日： 1993年08月31日
公開日（公表日）： 1995年03月17日
要約：
【要約】【目的】 ウエハにパターン露光を行う際にマスク上における照射光寸法と露光対象物上での露光光寸法との間に寸法誤差が生じるのを防止すること及びその場合でもマスクの機械的強度を低下させないことを目的とする。【構成】 透明基板11の上に、順次、シフター層13及び遮光層14を形成して成る下シフタータイプのレベンソン型位相シフトマスクであって、遮光部S、シフターを有しない透光部Tn 及びシフターを有する透光部Ta が面内で交互に配列される位相シフトマスクである。シフター層13と透明基板11との間にエッチングストッパー層12が形成されるが、このエッチングストッパー層12はシフターを有しない透光部Tn には設けられない。これにより、透光部Tn を通過する露光光のエネルギ減衰を防止する。
請求項（抜粋）：
透明基板の上に、順次、シフター層及び遮光層を形成して成る下シフタータイプのレベンソン型位相シフトマスクであって、遮光部、シフターを有しない透光部及びシフターを有する透光部が面内で交互に配列された位相シフトマスクにおいて、シフター層と透明基板との間にエッチングストッパー層を有し、このエッチングストッパー層はシフターを有しない透光部には設けられないことを特徴とする位相シフトマスク。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 528
