特許

J-GLOBAL ID：200903061624250324

研磨方法及び研磨装置、及び半導体プロセスにおける平坦化方法

発明者： 古閑 浩義
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-336627
公開番号（公開出願番号）：特開平10-175157
出願日： 1996年12月17日
公開日（公表日）： 1998年06月30日
要約：

【要約】【課題】 研磨粒子を有する研磨材により、被研磨材の被研磨面を、機械的研磨作用及び研磨材の被研磨面に対する化学的研磨作用によって研磨する場合も、均一な研磨が達成でき、研磨による表面平坦性を向上でき、研磨能率の向上も可能とする研磨方法及び研磨装置、及びこれを用いた半導体プロセスにおける平坦化方法を提供する。【解決手段】 ?@研磨粒子1を有する研磨材2により、被研磨材3の被研磨面4を、機械的研磨作用及び研磨材の被研磨面に対する化学的研磨作用によって研磨する際、研磨材に電界を与えた状態で研磨を行う。?A研磨材2を支持する部分5に電極6を設け、該電極に電圧を印加して研磨を行う構成とする。?B上記?@の研磨方法で、半導体ウェハの平坦化を行う。

請求項（抜粋）：

研磨粒子を有する研磨材により、被研磨材の被研磨面を、機械的研磨作用及び研磨材の被研磨面に対する化学的研磨作用によって研磨する研磨方法において、研磨材に電界を与えた状態で研磨を行うことを特徴とする研磨方法。

IPC (3件)：

B24B 37/00 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304

FI (3件)：

B24B 37/00 F ,  H01L 21/304 321 M ,  H01L 21/304 321 P