特許
J-GLOBAL ID：200903061624296669
レジストパターンの形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-251654
公開番号（公開出願番号）：特開平7-106234
出願日： 1993年10月07日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：
【要約】【目的】 レジストパターンを良好な形状および寸法精度で形成することができるレジストパターンの形成方法を得る。【構成】 半導体基板1上に酸発生剤9を所定の濃度含む第1の溶液を塗布して第1のレジスト膜10を形成する工程と、第1の溶液より低濃度の酸発生剤を含む第2の溶液を第1のレジスト膜10上に塗布して第2のレジスト膜11を形成する工程と、所定の温度でベーキングを行い第1のレジスト膜10中の酸発生剤9を第2のレジスト膜11中に熱拡散させて化学増幅型レジスト膜12を形成する工程とを含有する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に酸発生剤を所定の濃度含む第1の溶液を塗布して第1のレジスト膜を形成する工程と、上記第1の溶液より低濃度の酸発生剤を含む第2の溶液を上記第1のレジスト膜上に塗布して第2のレジスト膜を形成する工程と、所定の温度でベーキングを行い上記第1のレジスト膜中の酸発生剤を上記第2のレジスト膜中に熱拡散させて化学増幅型レジスト膜を形成する工程と、上記化学増幅型レジスト膜上にマスクを介してdeepUV光を照射し所定のパターンに露光する工程と、露光後の所定の温度でベーキングを行い上記化学増幅型レジスト膜の露光された部分のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させる工程と、所定の濃度のアルカリ現像液により上記化学増幅型レジスト膜の露光された部分を溶出させ所望のレジストパターンを形成する工程とを含有することを特徴とするレジストパターンの形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, G03F 7/26 511
