特許
J-GLOBAL ID：200903061624570370
パワー半導体装置およびそれを用いた電力変換装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-161777
公開番号（公開出願番号）：特開平11-356058
出願日： 1998年06月10日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：
【要約】【課題】モジュールを実装した主回路配線の接触抵抗のばらつきや、各主端子間の配線アンバランスが発生した場合に制御用エミッタ端子に流れてモジュール内の電流不均一の原因となる電流量を小さくし、電磁ノイズが発生などによる誤動作をなくす。【解決手段】各エミッタ主端子間を並列に配線した制御用エミッタ端子の配線抵抗を、モジュール外部でメイン電流が流れる端子を接続する部分の接触抵抗の10倍以上、モジュール外部で取付けるゲート抵抗の1/100以下、の範囲にする。
請求項（抜粋）：
モジュール内部で複数の半導体素子を搭載し、搭載した複数の半導体素子のゲート電極,制御用エミッタ補助電極を並列に配線して同時に動作させることでモジュールとしてスイッチング特性を有するパワー半導体装置において、主電流が流れるエミッタのモジュール外部接続数がエミッタ補助配線のモジュール外部接続数より多く、該複数の主電流が流れるエミッタ端子を短絡させて使用する構造において、各エミッタ主端子間を並列に配線した制御用エミッタ端子の配線抵抗をモジュール外部で主電流が流れる端子を接続する部分の接触抵抗の10倍以上からモジュール外部で取付けるゲート抵抗の1/100以下の範囲にしたことを特徴とするパワー半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H02M 7/48 Z
, H02M 7/5387 Z
