特許
J-GLOBAL ID：200903061625731415
磁気抵抗効果素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
阿部 美次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-053065
公開番号（公開出願番号）：特開平10-255231
出願日： 1997年03月07日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：
【要約】【課題】 強磁性トンネル接合部に十分な大きさのトンネル電流を流すことができ、高いMR変化率を得ることのできる磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】 強磁性トンネル接合部21と、磁区制御膜214、215とを有する。強磁性トンネル接合部21は、絶縁膜210と、第1の強磁性膜211と、第2の強磁性膜212とを含む。第1の強磁性膜211と第2の強磁性212とが絶縁膜210を介して積層されている。磁区制御膜214、215は、第1の強磁性膜211の両端部に隣接して設けられている。
請求項（抜粋）：
強磁性トンネル接合部と、磁区制御膜とを有する磁気抵抗効果素子であって、前記強磁性トンネル接合部は、絶縁膜と、第1の強磁性膜と、第2の強磁性膜とを含み、前記第1の強磁性膜と前記第2の強磁性膜とが前記絶縁膜を介して積層されており、前記磁区制御膜は、前記第1の強磁性膜及び前記第2の強磁性膜の何れか一方の両端部に、隣接して設けられている磁気抵抗効果素子。
引用特許：
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