特許

J-GLOBAL ID：200903061626153202

マイクロ波プラズマCVD法および装置

発明者： 岡村 竜次 ,  秋山 和敬 ,  櫃石 光治 ,  村山 仁 ,  大利 博和
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-325191
公開番号（公開出願番号）：特開平7-180061
出願日： 1993年12月22日
公開日（公表日）： 1995年07月18日
要約：

【要約】【目的】 基板上に、均一で優れた特性の堆積膜をマイクロ波プラズマCVD法により作製する方法及び該方法を行うための装置を提供すること。【構成】 減圧可能な反応容器内に堆積膜形成用の原料ガス及びマイクロ波エネルギーを導入し、導入したマイクロ波エネルギーにより励起されるグロー放電により基体上に堆積膜を形成するマイクロ波プラズマCVD法であって、放電空間内に設けたプラズマの電位制御を行うための電極を、その表面温度を均一として堆積膜を形成する。

請求項（抜粋）：

減圧可能な反応容器内に堆積膜形成用の原料ガス及びマイクロ波エネルギーを導入し、導入したマイクロ波エネルギーにより励起されるグロー放電により基体上に堆積膜を形成するマイクロ波プラズマCVD法であって、前記放電空間内に設けたプラズマの電位制御を行うための電極を、その表面温度を均一として堆積膜を形成することを特徴とするマイクロ波プラズマCVD法。