特許

J-GLOBAL ID：200903061630695915

半導体装置の製造方法

発明者： 和田 保 ,  吉川 浩太 ,  長廣 紀雄 ,  脇野 有希子 ,  梁井 健一
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-256198
公開番号（公開出願番号）：特開平9-102481
出願日： 1995年10月03日
公開日（公表日）： 1997年04月15日
要約：

【要約】【課題】 多層構造の層間絶縁膜にコンタクトホールを開口する際に,コンタクトホール側面にオーバハングの生じないようにエッチングする。【解決手段】 1)多層膜上に開口部を有するレジストマスクを形成し,該レジストマスクをエッチングマスクにして該多層膜の内の上層膜をエッチングする工程と,次いで,該レジストマスク及び該多層膜の内の下層膜の両方をエッチングでき且つレジストマスクのエッチングレートが該下層膜に等しいかあるいは該下層膜より大きいエッチングレートのエッチャントを用いて該下層膜をエッチングする工程と, 次いで, 該上層膜を再エッチングする工程を有する。

請求項（抜粋）：

多層膜上に開口部を有するレジストマスクを形成し,該レジストマスクをエッチングマスクにして該多層膜の内の上層膜をエッチングする工程と,次いで,該レジストマスク及び該多層膜の内の下層膜の両方をエッチングでき且つレジストマスクのエッチングレートが該下層膜に等しいかあるいは該下層膜より大きいエッチングレートのエッチャントを用いて該下層膜をエッチングする工程と,次いで, 該上層膜を再エッチングする工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (7件)：

H01L 21/306 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/3213 ,  H01L 21/768 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (6件)：

H01L 21/306 S ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/302 A ,  H01L 21/88 C ,  H01L 21/90 C ,  H01L 29/78 616 K

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-170052
  
• 特開平2-028923