特許
J-GLOBAL ID：200903061632490482
マイクロ波プラズマ処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
武 顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-252971
公開番号（公開出願番号）：特開平6-104188
出願日： 1992年09月22日
公開日（公表日）： 1994年04月15日
要約：
【要約】【目的】 ECR領域へのマイクロ波の入射角を揃え、ECR全領域でのプラズマ発生条件を均一化して均一なプラズマを発生することにより、ウエハ上に形成する半導体素子の形状及び特性の均一性を向上する。【構成】 マイクロ波導波管5と処理室6の間に誘電体レンズ7あるいは擬似誘導体レンズ12を設け、または同期したマイクロ波4cを輻射する複数のアンテナ15a〜15dを設け、マイクロ波を同一周期でECR領域2に対して平行となるように処理室6に導入する。従って、ECR領域2に対するマイクロ波の入射が均一化して該ECR領域2内でのプラズマ発生条件が均一化し、均一なプラズマが発生する。
請求項（抜粋）：
マイクロ波発生手段と、ウエハを保持するウエハ台を備えた処理室と、前記マイクロ波発生手段で発生したマイクロ波を前記処理室に導入するホーン型アンテナ形状マイクロ波導波管と、前記マイクロ波と協働して電子サイクロトロン共鳴を発生させる磁場を発生する磁界発生手段と、反応ガス供給手段と、真空排気手段とを備え、電子サイクロトロン共鳴により発生した高密度プラズマにより前記ウエハ台に保持されたウエハを処理するマイクロ波プラズマ処理装置において、誘電体レンズを設け、前記処理室に導入されるマイクロ波を前記電子サイクロトロン共鳴領域に対して平行なマイクロ波伝播面が垂直に入射するようにしたことを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。
IPC (5件)：
H01L 21/205
, H01L 21/302
, H05H 1/46
, G01N 24/14
, G01R 33/64
