特許

J-GLOBAL ID：200903061633699660

導電性多結晶シリコン膜の製造方法

発明者： 磯村 雅夫 ,  原田 康樹
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-243272
公開番号（公開出願番号）：特開平6-097069
出願日： 1992年09月11日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：

【要約】【目的】 エネルギービームを用いた半導体膜の多結晶化技術において、高品質で且つ高導電率の導電性多結晶シリコン膜の製造方法を提供することにある。【構成】 本発明の特徴とするところは、200〜400°Cの加熱温度下、0.5〜10原子%の導電型決定不純物を含有し膜厚が500Å以下の非晶質シリコン膜に対し、エネルギービームを照射することにある。

請求項（抜粋）：

200〜400°Cの加熱温度下、0.5〜10原子%の導電型決定不純物を含有し膜厚が500Å以下の非晶質シリコン膜に対し、エネルギービームを照射することを特徴とする導電性多結晶シリコン膜の製造方法。