特許

J-GLOBAL ID：200903061634146002

積層絶縁体膜の形成方法およびこれを用いた半導体装置

発明者： 長谷川 利昭 ,  青山 純一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-209258
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054504
出願日： 1997年08月04日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：

【要約】【課題】 ギャップフィル能力やグローバル平坦化能力に優れた液相CVD法による平坦化絶縁体膜(APL膜)から、 -OH基を除去するための熱処理に先立って形成するキャップ絶縁体膜を信頼性高く形成する。【解決手段】 無機シラン/O2 /炭化水素、あるいは有機シラン/O2 を原料ガスとしたプラズマCVD法により、(下層)キャップ絶縁体膜15を形成する。【効果】 キャップ絶縁体膜の形成に際して、プラズマ中に有害なアンモニアやパーティクルが発生することがない。

請求項（抜粋）：

無機シラン化合物ガスおよび有機シラン化合物ガスのうちのいずれか一方と、 -OH基を有する酸化剤を含む原料ガスを用いた化学的気相成長法により、 -OH基を含有する平坦化絶縁体膜を被処理基板上に形成する工程、無機シラン化合物ガス、酸化剤および炭化水素を含む原料ガスを用い、キャップ絶縁体膜を前記平坦化絶縁体膜上に形成する工程、熱処理を施すことにより、前記平坦化絶縁体膜に含有される -OH基を除去する工程、以上の工程をこの順に有することを特徴とする積層絶縁体膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/316 M ,  H01L 21/88 K ,  H01L 21/90 M