特許
J-GLOBAL ID：200903061637141133
半導体不揮発性記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田澤 博昭 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-194898
公開番号（公開出願番号）：特開2001-022650
出願日： 1999年07月08日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
要約：
【要約】【課題】 不揮発性メモリでメモリ領域から読み出したデータの信頼性に欠けるという課題があった。【解決手段】 切り替え制卸回路9が、メモリ領域1,2を高信頼性モードへ切り替え、メモリ領域1,2内に同一データを格納させ、比較回路6がメモリ領域1,2の各々から読み出したデータを比較し、両データが一致した場合、データを外部へ出力させる。
請求項（抜粋）：
第1のメモリ領域および第2のメモリ領域を含む複数のメモリ領域と、前記第1のメモリ領域および第2のメモリ領域に対応して設けられたセンスアンプと、前記第1のメモリ領域および第2のメモリ領域から読み出したデータを比較する比較手段と、前記複数のメモリ領域のそれぞれを独立して動作させる通常モード、および前記第1のメモリ領域および第2のメモリ領域を用いて動作する高信頼性モードのいずれかに切り替え、前記高信頼性モードでは、前記第1のメモリ領域および第2のメモリ領域内に同一のデータを格納させ、前記第1のメモリ領域および第2のメモリ領域のそれぞれから読み出したデータを前記比較手段で比較させ、前記データが一致した場合、前記データを外部へ出力させる制御を行う制御手段と、を備えたことを特徴とする半導体不揮発性記憶装置。
Fターム (6件)：
5B018GA04
, 5B018HA04
, 5B018KA02
, 5B018KA30
, 5B018NA06
, 5B018QA14
