特許

J-GLOBAL ID：200903061642182298

冷却用ガスの圧力制御方法

発明者： 川端 淳史 ,  戸澤 茂樹 ,  西野 雅
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 亀谷 美明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-138396
公開番号（公開出願番号）：特開2000-331986
出願日： 1999年05月19日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：

【要約】【課題】 冷却用ガスの圧力制御に要する時間を短縮し,スループットを向上させることの可能な冷却用ガスの圧力制御方法を提供する。【解決手段】 ウェハWの処理時におけるウェハの裏面の冷却用ガスの圧力を設定圧力Pに制御するための冷却用ガスの圧力制御方法は,予備圧力パラメータN=(V1+V2)/V1を算出する第1工程(ただし,V1はインレットバルブIVおよびファイナルバルブFVにより区画される冷却用ガス供給経路の第1の部分の体積であり,V2はファイナルバルブからガス噴出孔に至る冷却用ガス供給経路の第2の部分の体積である)と,第1の部分に冷却用ガスを充填し,第1の部分の冷却用ガスの圧力PyをP<Py≦N×Pとする第2工程と,ファイナルバルブを開放して,第2工程で充填した冷却用ガスで第1の部分及び第2の部分を充填する第3工程とを含む。

請求項（抜粋）：

冷却用ガス源から供給される冷却用ガスを載置台の載置面に形成されたガス噴出孔から載置台に載置された被処理体の裏面に供給する冷却用ガス供給経路を備え,前記冷却用ガス供給経路内には,少なくとも,導入バルブと,前記導入バルブと前記ガス噴出孔との間に最終バルブと,が介装されている処理装置において,前記被処理体の裏面の前記冷却用ガスの圧力を設定圧力Pに制御するための前記冷却用ガスの圧力制御方法であって:予備圧力パラメータN=(V1+V2)/V1を算出する第1工程(ただし,V1は前記導入バルブおよび前記最終バルブにより区画される冷却用ガス供給経路の第1の部分の体積であり,V2は前記最終バルブから前記ガス噴出孔に至る冷却用ガス供給経路の第2の部分の体積である)と;前記第1の部分に前記冷却用ガスを充填し,前記第1の部分の冷却用ガスの圧力PyをP<Py≦N×Pとする第2工程と;前記最終バルブを開放して,前記第2工程で充填した冷却用ガスで前記第1の部分及び前記第2の部分を充填する第3工程と;を含むことを特徴とする,冷却用ガスの圧力制御方法。

Fターム (11件)：

5F004AA00 ,  5F004BA04 ,  5F004BA08 ,  5F004BA13 ,  5F004BB11 ,  5F004BB18 ,  5F004BB22 ,  5F004BB23 ,  5F004BB25 ,  5F004BB28 ,  5F004BC08

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体ウエハ処理装置及び方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-129459   出願人：宮崎沖電気株式会社, 沖電気工業株式会社
• 圧力制御方法及びその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-064678   出願人：東京エレクトロン株式会社