特許
J-GLOBAL ID：200903061644225059
プラズマCVD成膜方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-173613
公開番号（公開出願番号）：特開平5-025648
出願日： 1991年07月15日
公開日（公表日）： 1993年02月02日
要約：
【要約】【目的】 本発明はプラズマCVD法による薄膜の製造方法に関するものであり、均一な薄膜を高速で工業的に製造することを目的としている。【構成】 焼結合金を用いた中空の電極12内部から非重合性ガスを吹き出させ、放電管8内でプラズマ放電させると、電極12の表面に不純物が付着しない。その結果小さな放電跡がテ-プ上にできず、薄膜中への不純物の混入もなく高性能な膜が得られる。
請求項（抜粋）：
真空槽内に導入されたガスをプラズマ化して成膜するプラズマCVD成膜装置において、電極が多孔性部材により構成されており、非重合性ガスを多孔性電極より吹き出しつつ、重合性ガスを別の導入口より導入し、前記多孔性電極に通電し、薄膜を形成することを特徴とするプラズマCVD成膜方法。
IPC (3件)：
C23C 16/50
, C23C 16/26
, C23C 16/54
