特許

J-GLOBAL ID：200903061644743700

シリコン酸化膜の形成方法

発明者： 堀江 哲弘 ,  中野 浩児 ,  坂本 仁志
出願人/特許権者： 三菱重工業株式会社
代理人 (1件)： 内田 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-144821
公開番号（公開出願番号）：特開平9-306905
出願日： 1996年05月16日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：

【要約】【課題】 励起ビーム法によるシリコン酸化膜の形成方法の従来の欠点を解消し、シリコン半導体素子の作製に適した高品質なシリコン酸化膜の形成方法を提供しようとするものである。【解決手段】 シリコン基板に照射する励起ビームの入射角度を高角度とすることにより欠陥のない高絶縁耐電圧膜を形成することを特徴とするシリコン酸化膜の形成方法である。

請求項（抜粋）：

シリコン基板に照射する励起ビームの入射角度を高角度とすることにより欠陥のない高絶縁耐電圧膜を形成することを特徴とするシリコン酸化膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/48 ,  H01L 21/263

FI (3件)：

H01L 21/316 S ,  C23C 16/48 ,  H01L 21/263