特許

J-GLOBAL ID：200903061646556109

半導体発光素子の製造方法

発明者： 藤本 英俊 ,  上本 勉
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-248175
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090639
出願日： 1991年09月27日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】本発明は、従来の素子より外部量子効率の高い炭化珪素発光素子を供給することを目的とする。【構成】n型炭化珪素11上に形成したAl-Si膜21を熱処理することによって、発光層であるn- 型炭化珪素層13を形成し、さらにAl-Si21膜上に蒸着したAl膜22を熱処理することによってp型炭化珪素層14を形成する。またn型炭化珪素11上に蒸着したAl膜22およびAlよりも原子半径の大きいIII族金属膜を熱処理することによって、発光層であるn- 型炭化珪素層13およびp型炭化珪素層を同時に形成する。【効果】各導電型炭化珪素層間に絶縁層が生じないため、外部量子効率の高い発光素子を形成することができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板表面に発光中心となる元素を含む拡散源を形成する工程と、前記拡散源から前記発光中心となる元素を前記半導体基板中に熱拡散させる工程とを備え、前記半導体基板の構成元素の少なくとも一つで且つ前記発光中心となる元素の拡散を制御する元素を前記拡散源に含ませることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/225