特許

J-GLOBAL ID：200903061649052195

光デバイスの製造方法

発明者： 小笠原 茂昌 ,  竹村 浩二
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-074082
公開番号（公開出願番号）：特開平8-271941
出願日： 1995年03月30日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：

【要約】【目的】 広い範囲にわたって均一な周期微細分極反転構造を容易に実現させることができる優れた光デバイスの製造方法を提供すること。【構成】 単一分域化された非線形強誘電体から成る基板1の一主面に、帯状の周期電極3と帯状の絶縁膜2とを交互に配置させるとともに、基板1の他の主面に共通電極4を配置させ、周期電極3と共通電極4との間に電界を印加することによって基板1に分極反転を生ぜしめるようにしたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

単一分域化された非線形強誘電体から成る基板の一主面に、帯状の周期電極と帯状の絶縁膜とを交互に配置させるとともに、前記基板の他の主面に共通電極を配置させ、前記周期電極と前記共通電極との間に電界を印加することによって前記基板に分極反転を生ぜしめるようにしたことを特徴とする光デバイスの製造方法。