特許

J-GLOBAL ID：200903061661551148

半導体装置

発明者： 安井 孝俊 ,  平瀬 順司
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-257543
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102477
出願日： 1991年10月04日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：

【要約】【目的】 ソース領域又はドレイン領域の寄生容量を小さくすることにより、より高速な回路動作を得るための半導体装置を提供することを目的とする。【構成】 第1導電型の半導体基板10と、この半導体基板10に形成された第2導電型のトランジスタと、このトランジスタのチャネル領域5下に形成された第1導電型のパンチスルーストッパ4と、前記トランジスタのソース2・ドレイン3下に形成され、パンチスルーストッパ4より低濃度の第1導電型の低濃度層6とを備えたものである。【効果】 トランジスタのチャネル領域直下の高濃度のパンチスルーストッパ4によりソース、ドレイン間のパンチスルーを阻止しながら、ソース領域およびドレイン領域直下の低濃度層6によりソース、ドレインの寄生容量を小さくし、回路動作を高速にすることができる。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板と、この半導体基板に形成された第2導電型のトランジスタと、このトランジスタのチャネル領域下に形成された第1導電型の第1半導体領域と、前記トランジスタのソース・ドレインの少なくとも一方の下に形成され、前記第1半導体領域より低濃度の第1導電型の第2半導体領域とを備えた半導体装置。