特許

J-GLOBAL ID：200903061664168531

結晶成長方法

発明者： 藤原 伸介 ,  入倉 正登 ,  龍見 雅美 ,  武井 廣見 ,  兼子 哲幸
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-118189
公開番号（公開出願番号）：特開平6-329498
出願日： 1993年05月20日
公開日（公表日）： 1994年11月29日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 大型のYBa<SB>2 </SB>Cu<SB>3 </SB>O<SB>Z </SB>単結晶を生成することができる、結晶成長方法を提供する。【構成】 YBa<SB>2 </SB>Cu<SB>3 </SB>O<SB>Z </SB>(6<Z<7)で表わされる酸化物超電導材料の単結晶を生成する方法であって、Y:Ba:Cuの組成をx:y:wで表わしたとき、1.0≦x≦2.5、20≦y≦40およびx+y+w=100を満たす組成を有する出発原料を坩堝に充填するステップと、坩堝に充填した出発原料を、炉内で980°C以上1000°C未満の温度まで加熱し、融液を作製するステップと、融液に種結晶を接触させるステップと、融液の温度を0.005°C〜0.1°C/分の割合で徐冷しながら、種結晶を引上げて結晶を成長させるステップとを備える。

請求項（抜粋）：

YBa<SB>2 </SB>Cu<SB>3 </SB>O<SB>Z </SB>(6<Z<7)で表される酸化物超電導材料の単結晶を生成する方法であって、Y:Ba:Cuの組成をx:y:wで表したとき、1.0≦x≦2.5、20≦y≦40およびx+y+w=100を満たす組成を有する出発原料を坩堝に充填するステップと、前記坩堝に充填した出発原料を、炉内で980°C以上1000°C未満の温度まで加熱し、融液を作製するステップと、前記融液に種結晶を接触させるステップと、前記融液の温度を0.005°C〜0.1°C/分の割合で徐冷しながら、前記種結晶を引上げて結晶を成長させるステップとを備える、YBa<SB>2 </SB>Cu<SB>3 </SB>O<SB>Z </SB>結晶成長方法。

IPC (7件)：

C30B 29/22 501 ,  C01G 1/00 ,  C01G 3/00 ZAA ,  C30B 15/02 ZAA ,  C30B 15/32 ,  H01B 12/00 ZAA ,  H01B 13/00 565