特許

J-GLOBAL ID：200903061665874065

半絶縁性GaAs単結晶の熱処理方法

発明者： 関 実
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-339155
公開番号（公開出願番号）：特開2001-158699
出願日： 1999年11月30日
公開日（公表日）： 2001年06月12日
要約：

【要約】【課題】高価で特殊な石英アンプルを用いること無く、重金属汚染の少ない高純度な半絶縁性GaAs単結晶を得ることが可能な、半絶縁性GaAs単結晶の熱処理方法を提供すること。【解決手段】半絶縁性GaAs単結晶を石英アンプルに封じ込み、該石英アンプルに外部から熱を加える半絶縁性GaAs単結晶の熱処理方法において、前記石英アンプルの一部に前記半絶縁性GaAs単結晶の熱処理温度の0.9倍以下の温度の低温領域を設けて熱処理を施したことにある。

請求項（抜粋）：

半絶縁性GaAs単結晶を石英アンプルに封じ込み、該石英アンプルに外部から熱を加える半絶縁性GaAs単結晶の熱処理方法であって、前記石英アンプル内の一部に前記半絶縁性GaAs単結晶の熱処理温度の0.9倍以下の温度の低温領域を設けて熱処理することを特徴とする半絶縁性GaAs単結晶の熱処理方法。

IPC (3件)：

C30B 33/02 ,  C30B 29/42 ,  H01L 21/324

FI (3件)：

C30B 33/02 ,  C30B 29/42 ,  H01L 21/324 C

Fターム (7件)：

4G077AA02 ,  4G077AA10 ,  4G077BE46 ,  4G077CD01 ,  4G077FE01 ,  4G077FE11 ,  4G077HA12