特許

J-GLOBAL ID：200903061666547467

半導体レーザ装置

発明者： 松本 晃広
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-251983
公開番号（公開出願番号）：特開平7-106695
出願日： 1993年10月07日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：

【要約】【目的】 非点隔差を十分小さく、かつ電気的特性と光学的特性の良好な自励発振型の低雑音特性を有する半導体レーザ装置を提供する。【構成】 第2積層構造の全層厚が共振器端面部の領域とその中央部の領域とで異なる構成とすれば、自励発振が起こるようにレーザ発振は共振器中央部の等価屈折率の差を決定し、かつ、レーザの非点隔差が小さく、水平方向の放射角が大きくなるように共振器端面部の等価屈折率の差を決定することができる。また、ストライプ部分の幅をレーザの共振器端面部の方が中央部よりも狭くすれば、光出力-電流特性のスロープ効率は共振器中央部で決まるので、スロープ効率が十分に大きくなるように共振器中央部のストライプ幅を広く設定できる。したがって、本発明を再生用および録再用レーザに適用すると、非点隔差が十分に小さく、かつ電気特性と光学的特性の良好な自励発振型の低雑音レーザが得られる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成され、活性層及び該活性層を挟むクラッド層で構成された第1積層構造と、該第1積層構造上に形成され、1層以上の第2積層構造および、該第2積層構造を空間的に分離するストライプ部分を有し、該ストライプ部分内部に電流および光を閉じ込める電流・光閉じ込め手段とを備えた半導体レーザ装置であって、該ストライプ部分内部の層方向の等価屈折率と該ストライプ部分外部の層方向の等価屈折率の差が、レーザの共振器両端面部のうち少なくとも一方の端面部の領域が該両端面部で挟まれた少なくとも中央部の領域よりも大きくなるように、該第2積層構造の全層厚が、該レーザの共振器両端面部のうち少なくとも一方の端面部の領域と該両端面部で挟まれた少なくとも中央部の領域とで異なる構成とした半導体レーザ装置。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平1-183182
  
• 特開昭60-066890
  
• 特開昭62-051281
  
• 特開昭63-062391