特許

J-GLOBAL ID：200903061671925194

半導体装置

発明者： 高 木 信 一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-051581
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259453
出願日： 1992年03月10日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：

【要約】【目的】 ソース及びドレインのコンタクト抵抗が小さくかつチャネル長を微細にしても短チャネル効果の生じにくい半導体装置を提供する。【構成】 MOSFETのソース・ドレイン及びコンタクト金属をショットキー接合の生じない半導体及び金属の材料で形成し、ソース・ドレインの一端部をゲート電極下にまで入込ませる。【効果】 低コンタクト抵抗で電流駆動能力が高く、しかも、短チャネル効果が生じ難い。

請求項（抜粋）：

一導電型の半導体基板と、前記半導体基板表面の第1及び第2の領域各々に積層される前記半導体基板と同導電型の半導体薄膜層と、前記半導体基板表面の第1及び第2の領域相互間の第3の領域及び前記半導体薄膜層に積層されるゲート絶縁膜と、前記第3の領域の前記ゲート絶縁膜上に積層されるゲート電極と、前記ゲート絶縁膜を開口して前記半導体薄膜層に堆積される電極配線金属と、を備え、前記半導体薄膜層及び前記電極配線金属は互いの接合面にショットキー障壁を形成しない材料に選択され、前記半導体薄膜層の一端は前記ゲート電極の下部にまで入込むように形成されることを特徴とする半導体装置。