半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田守 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-011610
公開番号（公開出願番号）：特開平8-204007
出願日： 1995年01月27日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：

【要約】【目的】接続孔部における配線間の電気的特性を安定させる半導体装置を得る。【構成】 Si基板1上に形成された第1のアルミ導電膜2と、第1のアルミ導電膜2上に形成されたTi膜から成る第1の接続膜14と、第1の接続膜14上に形成された反射防止膜としてのP-SiN膜15と、P-SiN膜15を覆うように形成されP-SiN膜15と異なるエッチング特性を有する層間絶縁膜16と、第1の接続膜14上に至るまで層間絶縁膜16およびP-SiN膜15を貫通して形成された接続孔17と、接続孔17を介して第1の接続膜14と接するように形成されたTi膜から成る第2の接続膜18と、第2の接続膜18上に形成された第2のアルミ導電膜19とを備える。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成されたアルミニウムを含む第1の導電膜と、上記第1の導電膜上に形成されたチタン膜またはタングステン膜から成る第1の接続膜と、上記第1の接続膜上に形成された反射防止膜と、上記反射防止膜を覆うように形成され上記反射防止膜と異なるエッチング特性を有する層間絶縁膜と、上記第1の接続膜上に至るまで上記層間絶縁膜および上記反射防止膜を貫通して形成された接続孔と、上記接続孔を介して上記第1の接続膜と接するように形成されたチタン膜またはタングステン膜から成る第2の接続膜と、上記第2の接続膜上に形成された第2の導電膜とを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/768 , H01L 21/28 , H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/90 B , H01L 21/88 N

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置の配線接続構造およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-264636 出願人：三菱電機株式会社
特開平1-023556
特開平1-023556

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