特許

J-GLOBAL ID：200903061680413139

半導体装置の製造装置

発明者： 藤村 修三 ,  菊地 純
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-228499
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077168
出願日： 1992年08月27日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：

【要約】【目的】本発明は、水素ガスをプラズマ化して生じた水素プラズマを用いてプラズマ処理することにより半導体基板上の自然酸化膜やレジスト膜を除去する半導体装置の製造装置に関し、H2O ガスやO2ガスを水素ガスに添加することなく、水素原子の発生効率の向上を図ることが可能な半導体装置の製造装置の提供を目的とする。【構成】水素を含むガスを活性化して水素プラズマを発生させるプラズマ発生手段11と、水素プラズマを用いて被加工体19を処理する反応室16と、プラズマ発生手段11と反応室16とに連接して設けられ、水素プラズマをプラズマ発生手段11から反応室16に導く石英からなるプラズマ導入管15と、プラズマ導入管15を冷却する冷却手段20とを含み構成する。

請求項（抜粋）：

水素を含むガスを活性化して水素プラズマを発生させるプラズマ発生手段(11)と、前記水素プラズマを用いて被加工体(19)を処理する反応室(16)と、前記プラズマ発生手段(11)と前記反応室(16)とに連接して設けられ、前記水素プラズマを前記プラズマ発生手段(11)から前記反応室(16)に導く石英からなるプラズマ導入管(15)と、前記プラズマ導入管(15)を冷却する冷却手段(20)とを有することを特徴とする半導体装置の製造装置。

IPC (2件)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/304 341

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-096226
  
• 特開平3-073523
  
• 特開平3-129726