特許
J-GLOBAL ID：200903061680861050
半導体増幅回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-243018
公開番号（公開出願番号）：特開平9-153745
出願日： 1996年09月13日
公開日（公表日）： 1997年06月10日
要約：
【要約】【課題】 広帯域性および平坦性に優れた周波数特性を得る。【解決手段】 入力信号を反転増幅する第1の反転増幅回路11、および帰還信号をソースに受けゲートが接地されドレインが前記第1の反転増幅回路の出力端に接続された電界効果トランジスタを有する帰還回路15とを備えている入力部10と、この入力部の出力をレベルシフトする第1のレベルシフト回路20と、この第1のレベルシフト回路の出力を反転増幅する第2の反転増幅回路30と、この第2の反転増幅回路の出力をレベルシフトする第2のレベルシフト回路40と、を備え、前記帰還回路は前記第2のレベルシフト回路の出力を前記帰還信号とすることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
入力信号を反転増幅する第1の反転増幅回路、および帰還信号をソースに受けゲートが接地されドレインが前記第1の反転増幅回路の出力端に接続された電界効果トランジスタを有する帰還回路とを備えている入力部と、この入力部の出力をレベルシフトする第1のレベルシフト回路と、この第1のレベルシフト回路の出力を反転増幅する第2の反転増幅回路と、この第2の反転増幅回路の出力をレベルシフトする第2のレベルシフト回路と、を備え、前記帰還回路は前記第2のレベルシフト回路の出力を前記帰還信号とすることを特徴とする半導体増幅回路。
IPC (8件)：
H03F 1/34
, H01L 29/76
, H01L 29/772
, H01L 29/812
, H01L 21/338
, H03F 3/08
, H03K 5/02
, H03K 19/0948
H03F 1/34
, H03F 3/08
, H03K 5/02 A
, H01L 29/76
, H01L 29/80 R
, H03K 19/094 B
