特許
J-GLOBAL ID：200903061681267012
電流検出器付き半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-282948
公開番号（公開出願番号）：特開平9-127161
出願日： 1995年10月31日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：
【要約】【課題】低オン抵抗性と電流検出機能の両立および半導体自身の発熱による影響の低減を実現した電流検出器付き半導体素子を提供する。【解決手段】半導体ペレット上の被電流検出素子である縦型IGFETと外部端子を結ぶボンディング線16の周囲に磁気誘導体13を設け、そのギャップ部に一対の磁気抵抗効果素子12-1,12-2を形成し、ボンディング線を流れる電流値により、発生する磁界を検出する。
請求項（抜粋）：
負荷を電流駆動する半導体素子及び前記半導体素子に流れる駆動電流を検出する電流検出素子が同一半導体ペレットに集積されてなる電流検出器付き半導体装置において、磁性体膜及び導電膜の2層膜とこれに定電流を供給する手段とを有し、前記駆動電流による磁界に依存する抵抗値を有する磁気抵抗効果素子が前記電流検出素子として前記半導体素子上に縦積みされていることを特徴とする電流検出器付き半導体装置。
IPC (4件)：
G01R 19/00
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 43/08
G01R 19/00 A
, H01L 43/08 Z
, H01L 27/04 F
