特許

J-GLOBAL ID：200903061682201597

交換結合膜および磁気抵抗効果素子

発明者： 橋本 進 ,  上口 裕三 ,  岩崎 仁志 ,  佐橋 政司 ,  澤邊 厚仁
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-026775
公開番号（公開出願番号）：特開平6-314617
出願日： 1994年02月24日
公開日（公表日）： 1994年11月08日
要約：

【要約】【目的】 良好な交換結合性を有し、かつ耐食性に優れる交換結合膜を提供する。【構成】 N100-zMnz(Nは Cu,Ru,Rh,Re,Ag,Au,Os,Irのうちから選ばれた少なくとも1種、24≦z≦75)で表され、かつ結晶構造が正方晶系である反強磁性体膜と、少なくとも一部が前述の反強磁性体膜と積層形成された強磁性体膜とを備える。

請求項（抜粋）：

組成がN100-zMnz(Nは Cu,Ru,Rh,Re,Ag,Au,Os,Irのうちから選ばれた少なくとも1種、24≦z≦75)で表され、かつ結晶構造が正方晶系である反強磁性体膜と、前記反強磁性体膜と積層形成された強磁性体膜とを備えることを特徴とする交換結合膜。

IPC (5件)：

H01F 10/12 ,  C23C 14/06 ,  G11B 5/39 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/10

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-211106
  
• 磁気抵抗効果型磁気ヘツドおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-224346   出願人：株式会社日立製作所