特許

J-GLOBAL ID：200903061684397987

半導体装置

発明者： 田島 豊
出願人/特許権者： 株式会社日立ユニシアオートモティブ
代理人 (1件)： 広瀬 和彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-045020
公開番号（公開出願番号）：特開2003-250278
出願日： 2002年02月21日
公開日（公表日）： 2003年09月05日
要約：

【要約】【課題】 セラミックス基板を小型化できると共に、半導体素子の端子等を容易に半田付けすることができ、製造コストを低減する。【解決手段】 ベースプレート1の表面にセラミックス基板2を接合すると共に、セラミックス基板2の表面にMOSFET4を実装する。また、ベースプレート1の表面にはセラミックス基板2に隣接して絶縁基板6を設けると共に、絶縁基板6の表面には金属配線6A,6Bを形成する。そして、金属配線6A,6BにMOSFET4のドレイン端子D、ソース端子Sをそれぞれ接続すると共に、金属配線6Aにバスバ電極8を接続する。これにより、セラミックス基板2から金属配線を省いて小型化できると共に、高熱抵抗の絶縁基板6に金属配線6A,6Bを形成でき、金属配線6A,6Bに対してMOSFET4の端子等を容易に半田付けすることができる。

請求項（抜粋）：

金属材料からなるベースプレートを有し、該ベースプレートの表面には、セラミックス基板と、金属配線を表面に有する絶縁基板とを設け、前記セラミックス基板の表面には、パッケージに実装された半導体素子を設け、該半導体素子の端子は前記絶縁基板の金属配線に接続し、該金属配線はバスバ電極に接続する構成としてなる半導体装置。

IPC (4件)：

H02M 7/48 ,  H01L 23/48 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18

FI (3件)：

H02M 7/48 Z ,  H01L 23/48 G ,  H01L 25/04 C

Fターム (8件)：

5H007BB06 ,  5H007CA02 ,  5H007CB05 ,  5H007CB12 ,  5H007CC07 ,  5H007HA03 ,  5H007HA04 ,  5H007HA05