特許

J-GLOBAL ID：200903061686843267

単結晶半導体基板の表面処理方法、および単結晶半導体基板の電極層形成方法

発明者： 荒木 建次 ,  山口 真史
出願人/特許権者： 大同特殊鋼株式会社
代理人 (1件)： 池田 治幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-148464
公開番号（公開出願番号）：特開2001-332529
出願日： 2000年05月19日
公開日（公表日）： 2001年11月30日
要約：

【要約】【課題】 単結晶半導体基板の表面に対して、一層高さの低い多数の微小突起を均一に形成する単結晶半導体基板の表面処理方法を提供する。【解決手段】 単結晶半導体基板10の表面12は、表面改質工程S1により疎水面に改質されるので、有機分子付着工程S2において有機分子16が好適に付着させられる。また、この有機分子16が付着させられた単結晶半導体基板10の表面12は、異方性エッチング液により浸食されると、有機分子16が付着した部分を頂点とする多数の四角錐状のたとえば1μm程度の高さの微小突起14が均一に形成される。

請求項（抜粋）：

単結晶半導体基板の表面に均一な多数の微小突起を形成する処理を施すための単結晶半導体基板の表面処理方法であって、前記単結晶半導体基板の表面を疎水面に改質する表面改質工程と、疎水面に改質された該単結晶半導体基板の表面に有機分子を付着させる有機分子付着工程と、該有機分子が付着させられた該単結晶半導体基板の表面を異方性エッチング液を用いて浸食させる異方性エッチング工程とを、含むことを特徴とする単結晶半導体基板の表面処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/306 ,  H01L 31/04 ,  H01L 33/00

FI (4件)：

H01L 33/00 E ,  H01L 21/306 B ,  H01L 21/306 Q ,  H01L 31/04 H

Fターム (18件)：

5F041AA03 ,  5F041CA74 ,  5F041CA99 ,  5F043AA02 ,  5F043AA03 ,  5F043AA05 ,  5F043BB02 ,  5F043BB07 ,  5F043BB12 ,  5F043DD02 ,  5F043FF03 ,  5F043FF05 ,  5F043GG10 ,  5F051CB21 ,  5F051CB27 ,  5F051FA19 ,  5F051GA04 ,  5F051GA15