特許

J-GLOBAL ID：200903061690257623

薄膜形成装置および半導体薄膜の形成方法

発明者： 吉見 雅士 ,  岡本 圭史
出願人/特許権者： 鐘淵化学工業株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-201545
公開番号（公開出願番号）：特開2001-026878
出願日： 1999年07月15日
公開日（公表日）： 2001年01月30日
要約：

【要約】【課題】 イオンによるダメージを防止でき、かつ大面積に均一に成膜することが容易な薄膜形成装置および半導体薄膜の形成方法を提供する。【解決手段】 本発明の高周波プラズマCVD装置は、基板10上において複数の短冊状のカソード部1とアノード部2との各々がプラズマ形成領域20を挟んで交互に配置された構成の電極を有している。

請求項（抜粋）：

プラズマCVD法によって基板表面に薄膜を形成する装置であって、前記基板上において、複数の短冊状のカソード部とアノード部との各々がプラズマ形成領域を挟んで交互に配置された構成の電極を有する、薄膜形成装置。

IPC (2件)：

C23C 16/50 ,  H01L 21/205

FI (2件)：

C23C 16/50 D ,  H01L 21/205

Fターム (21件)：

4K030AA06 ,  4K030BA30 ,  4K030BB04 ,  4K030BB05 ,  4K030FA03 ,  4K030JA03 ,  4K030KA15 ,  4K030KA30 ,  5F045AA08 ,  5F045AB03 ,  5F045AB04 ,  5F045AC01 ,  5F045AD06 ,  5F045AE21 ,  5F045AF07 ,  5F045BB09 ,  5F045BB16 ,  5F045DA65 ,  5F045EH04 ,  5F045EH12 ,  5F045EK07