特許
J-GLOBAL ID：200903061693758003
基体および薄膜の表面の正確な成形のためのプラズマエッチング領域の閉込め方法および装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-333308
公開番号（公開出願番号）：特開平5-347277
出願日： 1992年12月14日
公開日（公表日）： 1993年12月27日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、RF励起プラズマを限定された領域に閉込めて基体表面上で正確に走査可能な非接触材料除去ツールを提供することを目的とする。【構成】 プラズマ室空洞14を限定する第1の誘電絶縁体16を含む手段と反応ガスをプラズマ室空洞14に供給する供給管24およびガス拡散器20と、RFパワーをプラズマ室空洞内の前記反応ガスに供給する電極22を備えている基体の局部化された領域における局部プラズマエッチング反応を発生する手段と、プラズマ室空洞14の外部周縁を包囲してプラズマ室空洞14の外側でのプラズマ発生を抑制する第2の誘電絶縁からなる手段と、基体の異なる局部化領域に対して局部プラズマエッチング反応の位置を調節するように前記基体に関して前記プラズマ室空洞の位置を調節するX-Y位置設定装置とを備えていることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
反応装置を具備する基体の表面に閉込められたプラズマ補助化学エッチング反応を遂行する材料除去ツールにおいて、プラズマ室空洞を限定する手段および、反応ガスをプラズマ室空洞に供給し、RFパワーをプラズマ室空洞内の前記反応ガスに供給する手段を備えている基体の局部化された領域における局部プラズマエッチング反応を発生する手段と、プラズマ室空洞の外部周縁を包囲し、前記プラズマ室空洞の外側でのプラズマ発生を抑制する手段と、基体の異なる局部化領域に対して局部プラズマエッチング反応の位置を調節するように前記基体に関して前記プラズマ室空洞の位置を調節する手段とを備えていることを特徴とする材料除去ツール。
IPC (3件)：
H01L 21/302
, C23F 4/00
, H05H 1/46
