特許

J-GLOBAL ID：200903061696976052

波長制御型面発光半導体レーザ

発明者： 内山 誠治 ,  柏 享
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-135985
公開番号（公開出願番号）：特開平6-350190
出願日： 1993年06月07日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：

【要約】【目的】 波長制御範囲の広い面発光型半導体レーザを提供する。【構成】 多重量子井戸層とバルク半導体層の繰り返し構造により構成される多重量子井戸DBR層12を分布反射板として用い、制御電圧を印加して多重量子井戸DBR層の反射率を変化させることにより、発振波長を任意に変化させることができる面発光型半導体レーザを提供する。【効果】 従来の2種のバルク半導体を組み合わせたDBR分布反射板による発振波長制御よりも、広範囲の制御が可能となる。

請求項（抜粋）：

バンドギャップの狭い井戸層とそれよりもバンドギャップの広いバリア層の繰り返し構造よりなる多重量子井戸層と、この多重量子井戸層よりも屈折率の低いバルク層の繰り返し構造よりなる多重量子井戸DBR層を活性層の少なくとも一方の側に配置したことを特徴とする波長制御型面発光半導体レーザ。