特許
J-GLOBAL ID:200903061699817281

フリー層を偏向させる硬質磁性体を使用したTMRセンサを設ける方法及びシステム

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 恩田 博宣 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-200660
公開番号(公開出願番号):特開2002-117510
出願日: 2001年07月02日
公開日(公表日): 2002年04月19日
要約:
【要約】【課題】 記録媒体からデータを読み取る磁気抵抗センサを設ける方法及びシステムを提供する。【解決手段】 本方法及びシステムは、フリー層(112’’)及びピン層(108’’)を設ける工程を有する。フリー層は強磁性体であり、第1の側及びこれに対向する第2の側を有する。ピン層は磁化の方向を有し、強磁性である。ピン層の磁化の方向は、特定の方向に固定される。ピン層は、フリー層の第1の側にある。本方法及びシステムは、フリー層の第1の側とピン層とを分離するバリア層を設ける工程を有する。バリア層(110’’)は、ピン層とフリー層との間の荷電粒子のトンネルを許容するに足りる薄さを有する絶縁層である。本方法及びシステムは、フリー層の第2の側に硬質磁性層を設ける工程も有する。硬質磁性層(116’’)は、フリー層を磁気的に偏向させる。
請求項(抜粋):
強磁性を有し、第1の側とこれと反対側の第2の側とを有するフリー層と、磁化の方向を有し強磁性であるピン層と、このピン層の磁化の方向は特定の方向に固定されていることと、このピン層は前記フリー層の第1の側にあることと、前記第1の側のフリー層と前記ピン層とを分離するバリア層と、このバリア層は、前記ピン層と前記フリー層との間の荷電粒子のトンネルを許容するに足りる薄さを備えた絶縁層であることと、前記フリー層の第2の側にある硬質磁性層と、この硬質磁性層は前記フリー層を磁気的に偏向させることとを有する、記録媒体からデータを読み取る磁気抵抗センサ。
IPC (6件):
G11B 5/39 ,  G01R 33/09 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/30 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/12
FI (6件):
G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/30 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 43/12 ,  G01R 33/06 R
Fターム (11件):
2G017AA10 ,  2G017AD54 ,  5D034BA02 ,  5D034BA03 ,  5D034BB01 ,  5D034CA06 ,  5D034DA07 ,  5E049AA04 ,  5E049BA06 ,  5E049BA16 ,  5E049DB12

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