特許
J-GLOBAL ID：200903061703396350
半導体量子細線の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-195483
公開番号（公開出願番号）：特開平6-045590
出願日： 1992年07月22日
公開日（公表日）： 1994年02月18日
要約：
【要約】【目的】 従来よりも幅の狭い半導体量子細線を、高密度で再現性良く形成すること。【構成】 半導体基板10の、量子細線を形成する位置に、通常の技術を用いて、位置決めパタ-ン12を形成する。次に、この位置決めパタ-ン12を含む基板面全面上に被膜を形成する。この被膜の上方から異方性エッチングを行うと、平坦部分の被膜がエッチングされた時点で、位置決めパタ-ン12側壁の段差部分にサイドウォ-ル16が形成される。このサイドウォ-ル16だけを残してサイドウォ-ルパタ-ン18を得る。これをマスクパターン18として用いて、さらに異方性エッチングを行って露出している半導体基板10の部分をエッチングし、量子細線20を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体量子細線の形成にあたり、(a)量子細線を形成する位置に沿って、半導体基板上に位置決めパタ-ンを形成する工程と、(b)該位置決めパタ-ンの側壁にサイドウォ-ルパタ-ンを形成する工程と、(c)該サイドウォ-ルパタ-ンをエッチングマスクとして異方性エッチングを行って、前記半導体基板に、量子細線を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体量子細線の形成方法。
IPC (3件)：
H01L 29/66
, H01L 21/302
, H01L 29/06
