特許
J-GLOBAL ID:200903061703785608

磁気抵抗効果素子用多層薄膜材料および磁性層の磁化の調整方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 志賀 正武 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-003380
公開番号(公開出願番号):特開平8-264861
出願日: 1996年01月11日
公開日(公表日): 1996年10月11日
要約:
【要約】【課題】 本発明は、従来構造では得られなかった10〜20%ものMR比を得ることができると同時に、耐食性、耐環境性の面で問題があった反強磁性材料を用いる必要が無く、しかも、回転磁場成膜の必要がなく、高価な製造設備も不用とすることができる磁性層の磁化の調整方法を提供することを目的とする。【解決手段】 本発明は、飽和磁歪定数の符号が正の強磁性金属ないしは強磁性合金からなる強磁性層32と飽和磁歪定数の符号が負の強磁性金属ないしは強磁性合金からなる強磁性層34が、非磁性層33を介して交互に1組以上積層さて積層体35が形成され、この積層体35に、一軸性の応力が印加されてなるものである。
請求項(抜粋):
飽和磁歪定数の符号が正の強磁性金属ないしは強磁性合金からなる強磁性層と飽和磁歪定数の符号が負の強磁性金属ないしは強磁性合金からなる強磁性層が、非磁性層を介し交互に1組以上積層されて積層体が形成され、この積層体に、一軸性の応力が印加されてなることを特徴とする磁気抵抗効果素子用多層薄膜材料。
IPC (6件):
H01L 43/08 ,  G01D 5/18 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/26 ,  H01L 43/10
FI (6件):
H01L 43/08 Z ,  G01D 5/18 L ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/26 ,  H01L 43/10 ,  G01R 33/06 R
引用特許:
審査官引用 (1件)

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