特許
J-GLOBAL ID：200903061704251178
半導体レーザダイオードおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小田 富士雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-233897
公開番号（公開出願番号）：特開平5-048215
出願日： 1991年08月21日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 活性層の横幅が選択成長領域である窓部のストライプ幅よりも狭い半導体レーザーダイオードを制御性良く容易に作製する。【構成】 半導体結晶基板11上の特定結晶面13上に、半導体のエピタキシャル成長が困難な第1領域と、そのの第1領域にはさまれ半導体のエピタキシャル成長が可能なストライプ状の第2の領域とを有し、その第2の領域上に形成されたクラッド層16と導波路層17と活性層18とを有する半導体レーザダイオードにおいて、前記クラッド層が前記特定の結晶面に平行状に形成された第1の結晶面と、その第1の結晶面と交差し斜面を形成する第2の結晶面とを有し、導波路層および活性層の各々の層に対して前記第2の結晶面上の各々の層の厚さが前記第1の第1の結晶面上の各々の層の厚さよりも薄く、その第1の結晶面上の各々の層の幅が前記ストライプ状の第2の領域の幅よりも狭い。
請求項（抜粋）：
半導体結晶基板上の特定結晶面上に、半導体のエピタキシャル成長が困難な第1領域と、その第1領域にはさまれ半導体のエピタキシャル成長が可能なストライプ状の第2の領域とを有し、その第2の領域上に形成されたクラッド層と導波路層と活性層とを有する半導体レーザダイオードにおいて、前記クラッド層が前記特定の結晶面に平行状に形成された第1の結晶面と、その第1の結晶面と交差し斜面を形成する第2の結晶面とを有し、それらの第1および第2の結晶面上に前記導波路層と前記活性層とを有し、その導波路層および活性層の各々の層に対して前記第2の結晶面上の各々の層の厚さが前記第1の第1の結晶面上の各々の層の厚さよりも薄く、その第1の結晶面上の各々の層の幅が前記ストライプ状の第2の領域の幅よりも狭いことを特徴とする半導体レーザダイオード。
IPC (2件)：
引用特許：
前のページに戻る
